: تعداد منابع DG
: تعداد کلیدها
: تعداد خطوط
: حداقل ظرفیت هر منبع DG
: حداکثر ظرفیت هر منبع DG
پس از پایان یک تکرار از الگوریتم، ماتریسی به نام لیست مکانی کلیدها و منابع طبق رابطه (۲‑۳۲) شکل میگیرد. در این ماتریس، لیست شاخههای مورد نظر برای جایابی کلیدها و شینهای مورد نظر برای جایابی DGها و ظرفیتهای مناسب برای هر منبع که توسط هر مورچه به ثبت رسیده، ذخیره میشود.
( اینجا فقط تکه ای از متن فایل پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )
در انتهای هر جایابی بهینه، تابع سودی با توجه به تعداد DGها، تعداد کلیدها و مقدار بهبود در شاخصهای شبکه محاسبه میگردد. سپس تعداد DGهای شبکه افزایش مییابد و مرحله قبل دوباره تکرار میشود، تا به حداکثر تعداد ممکن برای DGهای شبکه برسیم.
پس از آنکه جایابی برای حداکثر تعداد کلیدها و DGهای مفروض در مسأله انجام شد، با بهره گرفتن از روش تصمیم گیری چند معیاره و با توجه به درجه اهمیت بین بهبودِ شاخصهای قابلیت اطمینان، افزایش سود سیستم، بهبود در پروفیل ولتاژ و بهبود تلفات شبکه، تعداد بهینه کلیدها و DGها و همچنین مکان بهینه کلیدها و مکان و ظرفیت بهینه DGها به دست خواهد آمد.
بررسی چند نمونه تابع هدف برای مسأله مکانیابی تولید پراکنده و کلیدهای جداکننده
در مقالهای مسأله جایابی بهینه چندین DG با بهره گرفتن از الگوریتم ژنتیک مطرح گردیده است. از یک تابع هدف ساده که بهدنبال به حداقل رساندن تلفات توان اکتیو میباشد، استفاده شده است [۴]. تابع هدف مسأله بصورت زیر میباشد.
| (۲‑۳۳) |
که در آن:
: مقدار ظرفیت DG نصب شده در شین n ام
: تلفات شبکه است که تابعی از مقدار توان تولیدی و مکان DGها میباشد.
قیود مسأله شامل حد بالا و پایین ولتاژ، محدودیت توان انتقالی از خطوط، حد بالا و پایین ظرفیت DG است. در حالتیکه یکی از راهحلها قیود را نقض نماید، برای آن مقدار جریمهای در تابع هدف منظور میگردد.
در مقاله دیگری روشی برای جایابی بهینه DG در شبکههای توزیع با بهره گرفتن از الگوریتم بهینه سازی اجتماع ذرات شبه تکاملی[۲۹] ارائه شده است[۳۵]. تابع هدف مورد استفاده یک تابع هدف چندمنظوره شامل شاخصهای کاهش تلفات و بهبود پروفیل ولتاژ میباشد. برای محاسبه تلفات از رابطه زیر استفاده شده است.
| (۲‑۳۴) |
که در آن:
n: تعداد شینهای شبکه
: توان اکتیو در شین i ام
: توان راکتیو در شین i ام
: ولتاژ شینi ام
: زاویه فاز ولتاژ شین i ام
همانطورکه قبلاً بیان شد تابع هدف شامل دو بخش است. بخش اول تابع هدف مربوط به تلفات توان میباشد و بخش دوم آن دربرگیرنده شاخص بهبود پروفیل ولتاژ است. در رابطههای زیر این دو بخش نشان داده شده است.
| (۲‑۳۵) |
که در آن:
: تلفات توان اکتیو
N: تعداد شینها
